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J-GLOBAL ID：200903008347625848

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

Inventor： 金子 豊 ,  宮田 敏光 ,  山下 邦男 ,  清田 幸弘 ,  金友 正文 ,  松島 勝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995065869
Publication number (International publication number)：1996264472
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】基板処理室を構成する石英ガラス隔壁を外気(酸素)から遮断し、装置の安全性と長寿命化を図り、隔壁からの基板汚染を防止し、品質バラツキの少ない半導体素子の製造を可能とする半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することにある。【構成】円筒状石英ガラスを隔壁とするチャンバ1の外周を、Oリング10を介して保護隔壁8で気密シールし、チャンバ隔壁1を大気から遮断する。水冷ジャケット81が設けられた保護隔壁8には、冷却された不活性ガスを供給するガス導入系13と排気系14とが設けられ、チャンバ隔壁の温度上昇を抑える構成となっている。チャンバ内の支持台5に載置された半導体ウェハ4は、加熱ランプ9の点灯下で反応ガス導入系7から所定の原料ガスが供給されて所定の表面処理が行なわれる。ウェハ4は放射温度計11で温度計測される共に、電源12でランプ出力を調整することにより所定温度に制御される。

Claim (excerpt)：

少なくとも透光性隔壁を有する基板処理室と、基板処理室内に保持された試料基板に反応ガスを供給する手段と、エネルギ線照射下で反応ガスを試料基板表面に接触させて試料基板表面を改質する手段とを有して成る半導体製造装置であって、前記基板処理室の透光性隔壁の外周部に所定間隔をおいて、少なくとも排気手段を有する保護隔壁を配設して、基板処理室の透光性隔壁部を二重隔壁で構成することにより、透光性隔壁を大気から遮断する構造として成る半導体製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/22 501 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/22 501 L ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/26 L