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J-GLOBAL ID：200903008352404833

一連の堆積技術を用いる耐火性金属層を堆積する方法

Inventor： ファン, ホンビン ,  ユーン, ヒュン, スック エー. ,  ライ, ケン, クァン ,  ヤン, シー., シー. ,  ホーン, ジェイムズ ,  シー, ミン ,  ヤン, マイケル, エックス. ,  チャン, フー
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁 ,  二宮 克之
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003534647
Publication number (International publication number)：2005505690
Application date： Oct. 10, 2002
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：

基板表面にタングステン層を形成する方法が提供される。一態様によると、その方法は、処理チャンバ内に基板表面を位置決めするステップと、基板表面をホウ化物に晒すステップと、を備える。交互にタングステン含有化合物と、シラン(SiH4)、ジシラン(SiCl2H2)、ジクロルシラン(SiCl2H2)、その誘導体、更に、これらの組合せから成る群から選択された還元性ガスを律動的に送ることにより、その後、核形成層が同一の処理チャンバ内の基板表面上に堆積される。その後、周期的堆積、化学気相堆積、又は、物理的気相堆積技術を用いて、タングステンのバルクフィルが核形成層上に堆積されてもよい。

Claim (excerpt)：

基板表面上にタングステン層を形成する方法において: 前記基板表面を処理チャンバ内に位置決めするステップと; 前記基板表面をホウ化物に晒すステップと; 交互にタングステン含有化合物と、シラン(SiH4)、ジシラン(SiCl2H2)、ジクロルシラン(SiCl2H2)、その誘導体、更に、これらの組合せから成る群から選択された還元性ガスと、を交互に律動的に送ることにより、核形成層を同一の処理チャンバ内で堆積するステップと; を備える、前記方法。

IPC (6)：

C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78

FI (5)：

C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  H01L21/285 C ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/10 625B

F-Term (53)：

4K030AA04 ,  4K030AA12 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH16 ,  5F083AD16 ,  5F083AD24 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF27 ,  5F140BF30 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140CE07