半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993053609
Publication number (International publication number)：1994268260
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】均一でゆらぎのない安定な発光特性および安定した電流-電圧特性が得られる。【構成】間接遷移型半導体層と、該半導体層の少なくとも表面層の空孔内部に充填して接する導電性物質からなる電荷注入層とを備える。

Claim (excerpt)：

間接遷移型半導体層と、該半導体層の少なくとも表面層の空孔内部に充填して接する導電性物質からなる電荷注入層とを備えることを特徴とする半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭53-077765
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-252477 Applicant：新技術事業団
特公昭38-012234

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