Pat

J-GLOBAL ID：200903008362128028

化合物半導体装置の製造方法

Inventor： 榊 裕之 ,  角屋 豊 ,  野毛 宏 ,  三矢 伸司 ,  吉田 孝志
Applicant, Patent owner： 新技術事業団 ,  角屋 豊 ,  三矢 伸司 ,  吉田 孝志
Agent (1)： 阿部 龍吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992211532
Publication number (International publication number)：1994061261
Application date： Aug. 07, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 3族・5族化合物半導体を主要構成要素とする化合物半導体において、半導体結晶中に欠陥を生成することなく、動作層に薄膜状の微細な不純物添加領域を形成することができる化合物半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 超高真空装置内において、化合物半導体基板1上に同種または異種の化合物半導体結晶2を堆積する第1の工程(a)と、珪素化合物または炭素化合物を含む気体雰囲気4中で、化合物半導体結晶に電子線3を照射することにより電子線被照射領域に薄膜状の不純物添加層5を形成する第2の工程(b)と、電子線を照射した化合物半導体結晶2上にさらに同種または異種の化合物半導体結晶6を堆積する第3の工程(c)により、電子線被照射領域にきわめて薄い不純物添加領域を形成した化合物半導体を作製する。

Claim (excerpt)：

超高真空装置内において、化合物半導体基板上に同種または異種の化合物半導体結晶を堆積する第1の工程と、珪素化合物または炭素化合物を含む気体雰囲気中で、化合物半導体結晶に電子線を照射することにより電子線被照射領域に薄膜状の不純物添加層を形成する第2の工程と、電子線を照射した化合物半導体結晶上にさらに同種または異種の化合物半導体結晶を堆積する第3の工程により、電子線被照射領域にきわめて薄い不純物添加領域を形成した化合物半導体を作製することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/263 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/203