Pat

J-GLOBAL ID：200903008376526468

水素イオン導電体

Inventor： 阿部 良弘 ,  李 光明 ,  川島 孝一
Applicant, Patent owner： 阿部 良弘 ,  日本無機株式会社
Agent (1)： 清水 善▲廣▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994257531
Publication number (International publication number)：1996119612
Application date： Sep. 27, 1994
Publication date： May. 14, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高い水素イオン伝度導を有するアモルファス物質からなる水素イオン導電体を提供する。【構成】 室温で10-1〜10-6S/cm程度の水素イオン伝導度を有するアモルファス物質からなる水素イオン導電体。

Claim (excerpt)：

室温で10-1〜10-6S/cm程度の水素イオン伝導度を有するアモルファス物質からなることを特徴とする水素イオン導電体。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭52-109497
  
• 特公昭36-010311
  
• 特開昭51-089135
  
• リン酸チタンアモルファス粒子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-027412   Applicant：日本ペイント株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開昭52-109497
  
• 特公昭36-010311
  
• 特開昭51-089135
  
• リン酸チタンアモルファス粒子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-027412   Applicant：日本ペイント株式会社