Pat

J-GLOBAL ID：200903008383142241

半導体装置の製造方法

Inventor： 加藤 輝男
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991229120
Publication number (International publication number)：1993067635
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、多結晶シリコン膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにおける、その多結晶シリコン膜の大粒径化に伴う特性のばらつきをなくす製法を提供するものである。【構成】 前述の目的のために本発明では、非晶質シリコン膜を固相結晶化する前に、その膜に優先的に結晶核が発生する領域を選択的にまず形成するようにした。

Claim (excerpt)：

非晶質半導体膜を固相結晶化することにより多結晶半導体膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記固相結晶化を行なう前に、前記非晶質半導体膜に、優先的に結晶核が発生する領域を選択的に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-119079
  
• 特開平3-200319
  
• 特開平2-140915
  
• 特開平3-218640