Pat
J-GLOBAL ID：200903008386415893
光電変換素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003180029
Publication number (International publication number)：2005019549
Application date： Jun. 24, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：
【課題】保護膜の機能を維持しつつ、反射損失と再結合損失を同時に低減して発電効率を高めた光起電力素子を提供する。【解決手段】半導体基板に形成され、受光面に保護膜兼反射防止膜として窒化珪素膜を備えた光電変換素子において、窒化珪素膜の半導体基板との界面領域において、それ以外の部位よりも、水素またはハロゲンの含有量を増加させ、かつ、Si含有量/N含有量の比率を増加させたことにより、上記界面領域における屈折率をそれ以外の部位と同等に維持した。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板に形成され、受光面に保護膜兼反射防止膜として窒化珪素膜を備えた光電変換素子において、
窒化珪素膜の半導体基板との界面領域において、それ以外の部位よりも、水素またはハロゲンの含有量を増加させ、かつ、Si含有量/N含有量の比率を増加させたことにより、上記界面領域における屈折率をそれ以外の部位と同等に維持したことを特徴とする光電変換素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (9)：
5F051AA02
, 5F051BA16
, 5F051CB12
, 5F051CB20
, 5F051EA18
, 5F051EA20
, 5F051FA06
, 5F051HA03
, 5F051HA06
Cited by examiner (3)
-
半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-072312
Applicant：三菱電機株式会社
-
歯科用セルフエッチングプライマー処理剤
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-092131
Applicant：学校法人日本大学
-
反射防止膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-078626
Applicant：三菱電機株式会社
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