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J-GLOBAL ID：200903008393769714

微細パターン形成用レジストおよび微細パターン形成方法

Inventor： 勝山 亜希子 ,  橋本 和彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994065880
Publication number (International publication number)：1994342212
Application date： Apr. 04, 1994
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レジストパターンの寸法変動が少なく、ArFエキシマレーザ光を透過させ且つ従来よりも安価な微細パターン形成用レジストを提供する。【構成】 レジストとして、[化I]で示される高分子化合物と酸発生剤とから成る二成分系物質を用いる。但し、[化I]において、R1 〜R6 は、水素原子、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルシリル基、テトラヒドロピラニル基、アルコキシカルボニルメチル基又はヒドロキシプロピル基のいずれかを表す。【化I】

Claim (excerpt)：

セルロース骨格を主鎖に含み該主鎖が酸により開裂を起こす高分子化合物と、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤とを含むことを特徴とする微細パターン形成用レジスト。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312