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J-GLOBAL ID：200903008394788259
半導体光電面およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991159369
Publication number (International publication number)：1993012989
Application date： Jul. 01, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【構成】ガラスウィンドウ1に貼着したP型Al0.5 Ga0.5 As層2上のP型GaAs層3の表面に、CsO又はCs活性層5を形成して半導体光電面となす。この場合CsO又はCs活性層5とP型GaAs層3との間に硫黄単原子層4を10-7Torr 程度の通常真空内で形成する。この硫黄単原子層4はP型GaAs層3表面との結合力が強く、表面に酸素を介在させず、界面の結晶状態を極めて安定状態として保持し、P型GaAs層3上面に発生する光電感度を著しく阻害する自然酸化膜の発生を抑止する。入射光101は、P型Al0.5 Ga0.5 As層2を通過してP型GaAs層3に達して電子-正孔対を発生し、薄膜の硫黄単原子層4を通過したあと、トンネル効果によってCsO又はCs活性層5を透過し光電子として放出される。【効果】10-7Torr 程度の超高真空度環境を利用することなく、通常の真空度環境で所望の光電感度を確保した半導体光電面を形成できる。
Claim (excerpt)：
GaおよびAsを含む化合物半導体表面にCsOもしくはCsからなる活性層を備えた半導体光電面において、前記活性層と前記化合物半導体表面の間に単原子層程度の厚さを有する硫黄単原子層を介在させたことを特徴とする半導体光電面。
IPC (3)：
H01J 1/34
, H01J 9/12
, H01L 27/146
