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J-GLOBAL ID：200903008414577691

化合物半導体太陽電池の製造法

Inventor： 尾村 邦嘉 ,  花房 彰 ,  有田 孝 ,  室園 幹夫
Applicant, Patent owner： 松下電池工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996175851
Publication number (International publication number)：1998004205
Application date： Jun. 14, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】有機イオウカドミウム錯体の熱分解により形成したCdS膜上にCdTe膜を形成して構成される太陽電池の製造工程において、CdS膜を浸食することなく、良質なCdTe膜をCdS膜上に形成することにより、高効率の太陽電池を製造する方法を提供すること。【解決手段】CdS薄膜上にCdTe膜を形成し、このCdTe膜にCdCl2溶液を塗布したのち、1000ppm以上、100000ppm以下のモル濃度の酸素を含む不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に有機イオウカドミウム錯体の熱分解によりCdS薄膜を形成し、前記薄膜上にCdTe膜を形成する化合物半導体太陽電池の製造工程において、CdTe膜を形成後、CdTe膜上に水または有機溶剤に塩化カドミウムを溶解させた溶液を塗布し、酸素モル濃度が1000ppm以上、100000ppm以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする化合物半導体太陽電池の製造法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/365

FI (2)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/365

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 太陽電池の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-221302   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜CdS層を備えた光電池
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平5-512616   Applicant：フォトンエナジー,インコーポレイテッド
• 特開昭62-092482