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J-GLOBAL ID:200903008426012614
チップマウント方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
田治米 登 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994074302
Publication number (International publication number):1995263493
Application date: Mar. 18, 1994
Publication date: Oct. 13, 1995
Summary:
【要約】【目的】 半導体チップ等の電子素子チップを、半田バンプを形成することなく、基板へワイヤーレスボンディングで直接的に接合できるようにして、高密度実装を低コストで行なえるようにし、また接合信頼性や耐蝕性を高める。【構成】 半導体チップ1等の電子素子チップを配線回路3にマウントするチップマウント方法において、電子素子チップの端子1aの基材金属層上に無電解メッキ法でニッケル系薄層11を形成し、このニッケル系薄層11と配線回路3とを異方性導電性接着剤12を用いて接合するか、又はニッケル系薄層11を形成後、さらに無電解メッキ法でパラジウム0.1〜95重量%と鉛もしくは錫を含有するパラジウム合金層13又は貴金属薄層14を形成し、このパラジウム合金層13又は貴金属薄層14と配線回路3とを異方性導電性接着剤12を用いて接合する。
Claim (excerpt):
電子素子チップを配線回路にマウントするチップマウント方法において、予め電子素子チップの端子の基材金属層上に無電解メッキ法でニッケル系薄層を形成し、その後、電子素子チップの端子と配線回路とを異方性導電性接着剤を用いて接合することを特徴とするチップマウント方法。
IPC (2):
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
FI (2):
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平2-001127
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特開平3-274739
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特開昭64-081344
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特開平4-030542
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半導体素子の電極形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-015188
Applicant:松下電器産業株式会社
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