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J-GLOBAL ID：200903008436008070

半導体装置

Inventor：
坂本 勝

About 坂本 勝


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992358559
Publication number (International publication number)：1993303116
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高速かつ低消費電力の半導体装置を提供する。【構成】 半導体もしくは金属と接触するITO膜を有する半導体装置において、該ITO膜上または膜下の少なくとも一部にSiNを主成分とする絶縁膜が設けられた半導体装置。
Claim (excerpt)：
半導体もしくは金属と接触するITO膜を有する半導体装置において、該ITO膜上または膜下の少なくとも一部にSiNを主成分とする絶縁膜が設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/318
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-198921
  • 特開平1-274116
  • 特開平4-331923
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