プラズマ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：保立浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999052618
Publication number (International publication number)：2000252261
Application date： Mar. 01, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板ステージの表面等への生成物の堆積を抑制することで、パーティクルの発生や処理の再現性低下等の問題を未然に防ぐ。【解決手段】処理チャンバー1内のプラズマによって処理される位置に基板9を保持する基板ステージ2の表面等への生成物の堆積が、堆積抑制用ガス供給系25により抑制される。堆積抑制用ガスは、生成物が生じる際のプリカーサ濃度を低下させるものであり、基板ステージ2の基板保持面の各小突起28の間を通りながら基板ステージ2と基板9との間を流れ、周状突起29と基板9の周縁との隙間から基板ステージ2の側方に流出する。堆積抑制用ガスは、基板ステージ2と基板9との間で熱を伝える熱伝達用に兼用される。

Claim (excerpt)：

排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入系と、導入されたプロセスガスにエネルギーを与えて処理チャンバー内にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、プラズマによって処理される位置に基板を保持する基板ステージとを備えたプラズマ処理装置であって、前記基板ステージの表面又は基板ステージの基板保持面の側方に設けられた部材の表面に生成物が堆積するのを抑制するための堆積抑制用ガスを供給する堆積抑制用ガス供給系が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 , C23C 16/455 , C23C 16/505 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 C , C23C 16/44 D , C23C 16/50 B , C23F 4/00 E , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 A

F-Term (45)：

4K030AA16 , 4K030EA03 , 4K030FA03 , 4K030GA02 , 4K030KA23 , 4K030KA49 , 4K057DA01 , 4K057DA20 , 4K057DD03 , 4K057DE06 , 4K057DE08 , 4K057DM02 , 4K057DM05 , 4K057DM08 , 4K057DM16 , 4K057DM17 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA00 , 5F004AA15 , 5F004BA04 , 5F004BA09 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BC08 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F045AA08 , 5F045BB15 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EH12 , 5F045EH13 , 5F045EH14 , 5F045EM05 , 5F045EM07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

静電吸着電極装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-177072 Applicant：松下電子工業株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-232804 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-075374

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