Pat

J-GLOBAL ID：200903008444677992

半導体露光装置、投影露光装置及び回路パターン製造方法

Inventor： 菊池 啓記 ,  金田 有史 ,  濱谷 正人
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社 ,  株式会社ニコン
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995320557
Publication number (International publication number)：1997162104
Application date： Dec. 08, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 簡便な構成にてレーザ光の可干渉性を適当な値まで落とし、スペックルノイズを発生させない半導体露光装置を提供する。【解決手段】 波長1064nm、縦単一モード発振するNd:YAGQスイッチレーザ装置2と、上記Nd:YAGQスイッチレーザ装置2にて出射された基本波レーザ光を、複数の周波数成分から成る電圧信号で位相変調する位相変調装置1と、上記位相変調装置1にて位相変調された基本波レーザ光の波長を第5高調波である波長213nm紫外線レーザに変換する波長変換装置3とを有する紫外線レーザ光発生装置と、光路差を生起する作用を有する均一照明装置7と、上記均一照明装置7からのレーザ光を投影する投影装置8とを備えることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

縦単一モード発振するパルスレーザ光源と、上記レーザ光源にて出射された基本波レーザ光を、複数の周波数成分から成る電圧信号で位相変調する位相変調手段と、上記位相変調手段にて位相変調された基本波レーザ光の波長を紫外線の波長に変換する波長変換手段とを有する紫外線レーザ光発生装置と、光路差を生起する作用を有する均一照明装置と、上記均一照明装置からのレーザ光を使って所定のパターンを基板上に投影する投影装置とを備えることを特徴とする半導体露光装置。

IPC (6)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/109 ,  H01S 3/11

FI (7)：

H01L 21/30 515 B ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  H01S 3/10 A ,  H01S 3/109 ,  H01S 3/11 ,  H01L 21/30 527