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J-GLOBAL ID：200903008450872268

半導体放射線検出器およびその製造方法

Inventor： 岩瀬 義倫
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994158264
Publication number (International publication number)：1996005749
Application date： Jun. 17, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】充分に低い暗電流の値を安定に得ることのできる電極構造を提供する。【構成】CdTeを主成分とする化合物半導体と、該化合物半導体の表面に設けられCdTeO3からなる絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられ電子に対して高い障壁となる金属から構成されるカソード電極と、前記カソード電極に対向する前記化合物半導体の表面に設けられ正孔に対して高い障壁となる金属から構成されるアノード電極とを含むものである。

Claim (excerpt)：

CdTeを主成分とする化合物半導体と、該化合物半導体の表面に設けられCdTeO3からなる絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられ電子に対して高い障壁となる金属から構成されるカソード電極と、前記カソード電極に対向する前記化合物半導体の表面に設けられ正孔に対して高い障壁となる金属から構成されるアノード電極とを含むことを特徴とする半導体放射線検出器。

IPC (3)：

G01T 1/24 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 31/08 N ,  H01L 31/10 Z