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J-GLOBAL ID：200903008460453859

シリコン加速度センサとその製法

Inventor： 間瀬 高生
Applicant, Patent owner： 日本航空電子工業株式会社
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997022737
Publication number (International publication number)：1998221362
Application date： Feb. 05, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 質量部の側面における斜め方向のエッチングによる質量の減少を防止すると共に、エッチングに使用するマスクのパターン設計を容易にする。【解決手段】 シリコン加速度センサは、シリコン基板1に形成された質量部3とそれを取り囲む枠部2とが梁状構造部4により接続され、梁状構造部の一部に設けたピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化によって入力加速度を検出する。この発明では時に、質量部3の側面が異方性のドライエッチング等により板面と直角に形成される。シリコン基板1は、梁状構造部4の厚さを持つN型層1nと、その下に形成され、質量部3の厚さから梁状構造部4の厚さを差し引いた厚さを持つP型層1pとより成る。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に形成された質量部とその質量部を取り囲む枠部とが梁状構造部により接続され、梁状構造部の一部の領域に設けたピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化によって入力加速度を検出するシリコン加速度センサにおいて、前記質量部の側面が板面と直角に形成されていることを特徴とするシリコン加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-186676
  
• 特開平1-216269
  
• 特開平4-216469
  
• 特開平3-255369