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J-GLOBAL ID：200903008462474861

半導体集積回路装置

Inventor： 吉原 和弘 ,  原田 卓
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993249172
Publication number (International publication number)：1995106511
Application date： Oct. 05, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の構造を複雑とすることなく、また、所定の導体パターンの幅等の制約を考慮することなく、半導体基板上に形成された所定の導体パターンの寄生容量を低減する。【構成】 半導体基板層上に絶縁層を介して形成された半導体層において、ECL回路の差動増幅回路部を構成するバイポーラトランジスタのコレクタに接続された負荷抵抗R1 の下方の領域に、負荷抵抗R1 を取り囲むように枠状に形成された第1絶縁分離部3aを設けるとともに、その第1絶縁分離部3a内の半導体層を格子状に形成された第2絶縁分離部3bによって複数の半導体層2c1 の領域に分離した。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁層を介して形成された半導体層の上層に所定の導体パターンを有する半導体集積回路装置であって、前記所定の導体パターンの寄生容量に対して、その寄生容量よりも小さい他の容量を直列に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06

FI (3)：

H01L 21/90 V ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 321 C