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J-GLOBAL ID：200903008463877579

半導体記憶装置

Inventor： 松熊 茂一
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991154785
Publication number (International publication number)：1993003305
Application date： Jun. 26, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】データの書き換えが高速且つ簡易に行えるとともに、高集積化にも適した不揮発性メモリを提供する。【構成】強誘電体コンデンサZ1 の一方の電極E1 を、NMOSトランジスタN1 を介してビットラインBLに接続し、NMOSトランジスタN1 のゲートをワードラインWLに接続し、強誘電体コンデンサZ1 の他方の電極E2 をドライブラインに接続して、記憶セルMを構成する。そして、ドライブラインDLを、遅延回路を介して、ワードラインWLに接続する。【効果】EPROM等とは異なり、ビットラインBL,ワードラインWLの電位を制御するだけで、データの書き換えが行えるし、一つのトランジスタと一つの強誘電体コンデンサで記憶セルが構成されるから、小さくて済む。

Claim (excerpt)：

強誘電体コンデンサの一方の電極をパストランジスタを介してビットラインに接続するとともに、前記パストランジスタのゲートをワードラインに接続し、前記強誘電体コンデンサの他方の電極をドライブラインに接続し、そして、前記ワードラインが選択されてから所定時間経過した後に前記ドライブラインを立ち上げるドライブライン制御手段を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

H01L 27/115 ,  H01L 27/108

FI (3)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/10 325 R