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J-GLOBAL ID：200903008465065806

パターン膜修正方法とその装置

Inventor： 相田 和男
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994129260
Publication number (International publication number)：1995333828
Application date： Jun. 10, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 集束イオンビームを使ったパターン膜除去を、精度良く所定形状にて除去すること。【構成】 試料表面にて集束イオンビームを所定領域走査照射して発生する二次荷電粒子(イオン)を検出して現実のパターン形状を画像表示する際に、集束イオンビームの照射と同時にヨウ素蒸気をその照射領域に吹付けて二次荷電粒子量を多くし、画像を鮮明にする。また、パターン膜を除去する領域に集束イオンビームを繰り返し走査して照射すると同時に、ヨウ素蒸気、又は水蒸気を含んだヨウ素蒸気を吹付けることにより、除去跡の基板表面の平坦度を向上させる。この方法、装置により、精度良いパターン膜修正が行われる。

Claim (excerpt)：

真空槽内において、イオン源から発生したイオンをイオンレンズ系により集束イオンビームとし、前記集束イオンビームを走査電極により、基板表面にパターン膜が形成されている試料の表面の所定領域に走査させながら照射し、前記集束イオンビーム照射により前記試料表面から発生される二次荷電粒子を検出し、前記検出された二次荷電粒子の検出強度に基づいて前記パターン膜の画像を表示し、前記パターン膜の画像と所望の形状との相違に基づいて、前記パターン膜の除去領域を設定し、前記設定されたパターン膜の除去領域にヨウ素蒸気をノズルから局所的に吹付けながら前記設定されたパターン膜の除去領域に前記集束イオンビームを繰り返し走査させながら照射し、前記パターン膜の除去領域にあるパターン膜を除去するパターン膜修正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027