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J-GLOBAL ID：200903008474814757

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 田中 智晴 ,  白田 理一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992126002
Publication number (International publication number)：1993325578
Application date： May. 19, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、電源電圧の変動に依存しない昇圧能力を持つ昇圧回路を搭載して書込み/消去時に電源パワーの無駄を生じさせないことを目的とする。【構成】 電源電圧の降下とともに発振周波数が高くなる発振回路9と、昇圧能力に駆動周波数依存性を有し発振回路9の駆動により電源電圧を昇圧してメモリ手段1の書込み/消去時に必要な電圧を発生する昇圧回路8とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

不揮発性メモリ機能を有するメモリ手段を備えたメモリ本体と、電源電圧の降下とともに発振周波数が高くなる発振回路と、昇圧能力に駆動周波数依存性を有し、前記発振回路の駆動により電源電圧を昇圧して前記メモリ手段の書込み/消去時に必要な電圧を発生する昇圧回路とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H02M 3/07

FI (3)：

G11C 17/00 309 D ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-154299
  
• 特開平2-125513
  
• 特開昭62-166612