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J-GLOBAL ID：200903008486312625

トンネル接合の形成方法およびトンネル接合

Inventor：
トーマス・シー・アンソニー

About トーマス・シー・アンソニー


Applicant, Patent owner：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

About ヒューレット・パッカード・カンパニー


Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998349432
Publication number (International publication number)：2000012365
Application date： Dec. 09, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】高磁気抵抗を有する強磁性トンネル接合を提供する。【解決手段】 トンネル接合(10)は1組のドーム形領域(20-21)と1組の介入低下領域(22)とを含む地形構造を有する上部表面をもつ第一強磁性層(12)と、上部表面(18)が実質的に平坦になるように第一強磁性層(12)の上に形成された絶縁層(14)と、絶縁層(14)上の第二強磁性層(16)を備える。第一強磁性層(12)と第二強磁性層(16)間の電子移動(移動)の経路が低下領域(22)上よりドーム形領域(20-21)上で短くなる。
Claim (excerpt)：
トンネル接合を形成する方法において:1組のドーム形領域と1組の介入低下領域とを含む地形構造を有する上部表面をもつ第一強磁性層を形成するステップと;絶縁層の上部表面が実質的に平坦になるように第一強磁性層の上に絶縁層を形成して、トンネル接合における第一強磁性層と第二強磁性層間の電子移動の経路が低下領域上よりドーム形領域上で短くなるようにするステップとを設けて成るトンネル接合の形成方法。
IPC (3)：
H01F 41/14 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (3)：
H01F 41/14 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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