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J-GLOBAL ID:200903008520362661

高インピーダンスプラズマイオン注入方法および装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993275832
Publication number (International publication number):1994256943
Application date: Nov. 04, 1993
Publication date: Sep. 13, 1994
Summary:
【要約】【目的】別個のプラズマ形成システムが不要とするとともに、従来のイオンサージ電流の発生を防いで高い注入イオンドーズレートを得る。【構成】上方及び下方チャンバ部を形成するチャンバ壁を有するプラズマチャンバ2と、プラズマチャンバ2内にイオン化ガスを導入するガス源7と、プラズマチャンバ2内に設けられたターゲット支持台4と、ターゲット6に負の電圧信号を印加して、ターゲット6とチャンバ壁との間にイオン化グロー放電を発生させる高電圧パルス発生器8とを具備する。
Claim (excerpt):
高インピーダンスプラズマイオン注入方法であって、プラズマチャンバ内にターゲットを提供する工程と、前記プラズマチャンバ内にイオン化ガスを導入する工程と、各パルスの少なくとも一部の間、ビームプラズマ不安定相互作用によってプラズマを周囲のガス内で維持するとともに、各パルスの少なくとも一部の間、前記プラズマからのイオンを前記ターゲットに注入するのに十分高い電圧レベルと一定の時間間隔をもつ一連の負の電圧パルスを前記ターゲットに印加する工程と、を具備したことを特徴とする高インピーダンスプラズマイオン注入方法。
IPC (4):
C23C 14/48 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-011762
  • 特開平4-280055
  • 特開昭53-060560
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