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J-GLOBAL ID：200903008522967854

レジスト処理方法及びレジスト処理装置

Inventor： 柴田 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001872
Publication number (International publication number)：1994208947
Application date： Jan. 08, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レジスト処理環境に起因する悪影響を防止することができ、化学増幅レジストを用いても良好なプロファイルのレジストパターンを形成し得るレジスト処理装置を提供すること。【構成】 被処理基板上に化学増幅レジスト膜を塗布する塗布室1a,該レジスト膜を加熱するベーク室1b,該レジスト膜を現像する現像室1cが一体に形成され、各室間で被処理基体を装置外気に晒すことなく搬送可能に構成したコーターデベロッパー1と、該レジスト膜に対してパターン露光を行う縮小投影露光装置2とをゲートバルブで接続し、レジスト膜の形成,加熱,露光,加熱,現像工程を連続して行うレジスト処理装置において、コーターデベロッパー1の外気導入部及び縮小投影露光装置の外気導入部に酸性物質を含む材料で構成されたフィルタ3を設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に化学増幅レジスト膜を形成する膜形成工程と、該工程により形成されたレジスト膜を加熱する第1の加熱工程と、該工程により加熱されたレジスト膜に対してパターン露光を行う露光工程と、該工程により露光されたレジスト膜を加熱する第2の加熱工程と、該工程により加熱されたレジスト膜を現像する現像工程と、を連続して行うレジスト処理方法において、少なくともレジスト膜の露光工程及び第2の加熱工程を、酸性物質を含む材料で構成されたフィルタを通過させた雰囲気中で行うことを特徴とするレジスト処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  B01D 46/00 ,  B01D 53/34 119 ,  G03F 7/38 511

FI (4)：

H01L 21/30 361 C ,  H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 361 H ,  H01L 21/30 361 K