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J-GLOBAL ID：200903008539522678

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： 中村 明弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999182849
Publication number (International publication number)：2001015613
Application date： Jun. 29, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】データ書き込み速度が速い記憶素子と、データ保持時間が長い記憶素子とが同一基板上に形成された不揮発性半導体記憶装置、およびその簡略な製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板11上にゲート絶縁膜12、電荷蓄積手段13、14および制御電極15を有し、制御電極に電圧を印加して電荷蓄積手段に対する電荷の注入または電荷の引き抜きを行って情報を記憶する記憶素子が複数形成された不揮発性半導体記憶装置であって、電荷の注入がチャネルホットエレクトロン注入により行われる第1の記憶素子(a)と、第1の記憶素子に比較してゲート絶縁膜が厚く、電荷の注入がファウラー・ノルドハイムトンネル注入により行われる第2の記憶素子(b)とを有する不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板のチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積手段と、前記電荷蓄積手段上に形成された制御電極と、前記半導体基板に前記チャネル形成領域を隔てて形成されたソース領域およびドレイン領域とを有し、前記制御電極に電圧を印加して前記電荷蓄積手段に対する電荷の注入または電荷の引き抜きを行い、情報を記憶する記憶素子が複数形成された不揮発性半導体記憶装置であって、前記複数の記憶素子は、前記電荷蓄積手段に対する電荷の注入がチャネルホットエレクトロン注入により行われる第1の記憶素子と、前記第1の記憶素子に比較して前記ゲート絶縁膜が厚く形成され、前記電荷蓄積手段に対する電荷の注入がファウラー・ノルドハイムトンネル注入により行われる第2の記憶素子とを含む不揮発性半導体記憶装置。

IPC (7)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

F-Term (33)：

5F001AA14 ,  5F001AA19 ,  5F001AA25 ,  5F001AA43 ,  5F001AA61 ,  5F001AA62 ,  5F001AB08 ,  5F001AC02 ,  5F001AC06 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AF06 ,  5F001AF10 ,  5F001AG02 ,  5F001AG12 ,  5F083AD69 ,  5F083EP09 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083ER02 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER22 ,  5F083ER30 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083GA30 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA14