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J-GLOBAL ID：200903008544063843
ダイヤモンド半導体デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993226235
Publication number (International publication number)：1995086620
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 pn接合部で半導体的伝導が支配的になってキャリアを制御可能にすることにより、良好なダイオード特性またはトランジスタ特性が実現されるダイヤモンド半導体デバイスを提供する。【構成】 基板10上には、i型層20、n型層30、i型層21及びp型層40が順次積層して形成され、層30と40の露出した表面に、それぞれ電極層50、51が部分的に選択成長されている。層21では、窒素濃度、ホウ素濃度は夫々層30、40の値未満でこれらの層では、キャリアの伝導として金属的伝導が支配的なので、室温程度においても低抵抗の伝導性が得られる。接合部では逆方向の耐電圧が大きく半導体的伝導が支配的になり、整流性が得られる。
Claim (excerpt)：
n型ドーパントが高濃度にドープされて金属的伝導が支配的になるように形成されたn型ダイヤモンド層と、p型ドーパントが高濃度にドープされて金属的伝導が支配的になるように形成されたp型ダイヤモンド層と、これらダイヤモンド層の間に介在して形成された高抵抗ダイヤモンド層とを備え、前記高抵抗ダイヤモンド層の層厚及びドーパント濃度は半導体的伝導が支配的になる値であることを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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