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J-GLOBAL ID：200903008545480243

p型窒化物系III-V族化合物半導体層の作製方法

Inventor： 簗嶋 克典 ,  朝妻 庸紀 ,  池田 昌夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996244079
Publication number (International publication number)：1998070082
Application date： Aug. 27, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 p型窒化物系III-V族化合物半導体層の表面荒れ、クラック、結晶性の劣化などの発生を抑えながら、そのp型窒化物系III-V族化合物半導体層に電極を低接触抵抗でオーミック接触させることができるp型窒化物系III-V族化合物半導体層の作製方法を提供する。【解決手段】 有機金属化学気相成長法などによりp型窒化物系III-V族化合物半導体層、例えばp型GaN層3を成長させた後、その表面に気相拡散法や固相拡散法によりMgやZnなどのII族元素を拡散させてp+ 型拡散層4を形成する。これらのII族元素の拡散は例えば500〜700°Cで行う。

Claim (excerpt)：

p型窒化物系III-V族化合物半導体層の表面にII族元素を拡散させるようにしたことを特徴とするp型窒化物系III-V族化合物半導体層の作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/223 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (6)：

H01L 21/22 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/223 Y ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18