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J-GLOBAL ID：200903008550084666

量子構造の形成方法

Inventor： 鈴木 寿一 ,  長谷 伊知郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207725
Publication number (International publication number)：1996078769
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 近接して規則正しく配列した均一な大きさを有する高密度の量子構造を簡便に形成する。【構成】 Al基板ないしはAl層1を陽極酸化して多数の円柱状細孔3が規則的に配列形成された多孔質アルミナ2の形成工程と、円柱状細孔3を用いて、目的とする量子構造の構成材料4を規則的に配列形成した多数の均一な量子箱もしくは量子細線を形成する工程をとって、量子構造を形成する。

Claim (excerpt)：

Al基板ないしはAl層を陽極酸化して多数の円柱状細孔が規則的に配列形成された多孔質アルミナ基板ないしは多孔質アルミナ層の形成工程と、上記円柱状細孔を用いて、目的とする量子構造の構成材料を規則的に配列形成した多数の均一な量子箱もしくは量子細線を形成する工程とをとることを特徴とする量子構造の形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体微細構造の製作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-350452   Applicant：古河電気工業株式会社