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J-GLOBAL ID：200903008550856359

半導体基板中へのドーピング層の形成方法

Inventor： 杉岡 幸次 ,  豊田 浩一
Applicant, Patent owner： 理化学研究所
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995236185
Publication number (International publication number)：1997063974
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体基板中へドーピング層としてウェル構造を形成するなどの際に、半導体基板上の所定の領域をマスクする必要性を排除して作業工程の簡素化を図り、しかも作業時間を著しく短縮化でき、さらには半導体基板の横方向拡散が生じることのないようにする。【解決手段】半導体基板に対して照射強度の強いレーザー光を照射した直後に、所定の遅延時間をもってそれより弱い照射強度のレーザー光を照射し、照射強度の強いレーザー光と照射強度の弱いレーザー光との照射を1セットとして、所定の時間間隔を開けて必要なドーピング層の深さに応じて上記1セットを所定の回数繰り返すようにした。

Claim (excerpt)：

半導体基板へレーザー光をパルス状に照射することにより、前記半導体基板へ前記レーザー光が照射された際における前記半導体基板表面の温度上昇に基づく急速溶融現象と、前記半導体基板表面への前記レーザー光の照射が停止された際における前記半導体基板表面の温度低下による再結晶化現象とを利用して、前記半導体基板が急速溶融された際に不純物を前記半導体に混入し、前記半導体基板が再結晶化される際に混入された前記不純物を前記半導体中に閉じこめるようにして、前記半導体基板に対してドーピング層を形成する半導体基板中へのドーピング層の形成方法において、半導体基板に対して照射強度の強いレーザー光を照射した直後に、所定の遅延時間をもってそれより弱い照射強度のレーザー光を照射し、前記照射強度の強いレーザー光と前記照射強度の弱いレーザー光との照射を1セットとして、所定の時間間隔を開けて必要なドーピング層の深さに応じて前記1セットを所定の回数繰り返すことを特徴とする半導体基板中へのドーピング層の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01S 3/00

FI (4)：

H01L 21/22 E ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01S 3/00 B