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J-GLOBAL ID：200903008551974681

量子ドット固体および従来型固体のパタ-ン化方法

Inventor： デイビッド ノリス ,  ユリ ヴラソフ
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999101120
Publication number (International publication number)：2000108100
Application date： Apr. 08, 1999
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、所定の三次元パターンに一致して材料をパターン化して量子ドット固体を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 所定の三次元パターンに一致するように、量子ドット固体をパターン化する方法であって、(a)所定のテンプレイト材料からなり、その中に複数の孔(以下テンプレイト孔という。)を有し、その複数のテンプレイト孔が所定の三次元ネガ型パターンを有するテンプレイトを調製する工程と、(b)前記テンプレイト孔を充填するに充分なナノ結晶を調製する工程と、(c)前記テンプレイト孔を前記ナノ結晶で充填する工程と、(d)所定の三次元パターンに並ぶ前記テンプレイト孔内で、前記ナノ結晶が最密充填ナノ結晶として凝集するようにして、前記テンプレイト孔内でナノ結晶から量子ドット固体を形成する工程とを有する量子ドット固体のパターン化方法。

Claim (excerpt)：

所定の三次元パターンに一致するように、量子ドット固体をパターン化する方法であって、(a)所定のテンプレイト材料からなり、その中に複数の孔(以下テンプレイト孔という。)を有し、その複数のテンプレイト孔が所定の三次元ネガ型パターンを有するテンプレイトを調製する工程と、(b)前記テンプレイト孔を充填するに充分なナノ結晶を調製する工程と、(c)前記テンプレイト孔を前記ナノ結晶で充填する工程と、(d)所定の三次元パターンに並ぶ前記テンプレイト孔内で、前記ナノ結晶が最密充填ナノ結晶として凝集するようにして、前記テンプレイト孔内でナノ結晶から量子ドット固体を形成する工程とを有する量子ドット固体のパターン化方法。

IPC (2)：

B82B 3/00 ,  H01L 21/368

FI (2)：

B82B 3/00 ,  H01L 21/368 Z