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J-GLOBAL ID：200903008559942525

バイポーラ半導体装置

Inventor： 高橋 剛
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995227679
Publication number (International publication number)：1997074104
Application date： Sep. 05, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 バイポーラ半導体装置に於いて、GaAsからなるベース層に高濃度にカーボンを取り込んで多くのキャリヤを発生させ、しかも、歪みも緩和可能にしようとする。【解決手段】 ドーパントとしてカーボンを含むと共にアルミニウムが添加され且つインジウム或いはアンチモンの何れか、或いは、両方が添加されたGaAsからなるベース層14を備える。

Claim (excerpt)：

ドーパントとしてカーボンを含むと共にアルミニウムが添加され且つインジウム或いはアンチモンの何れかが添加されたGaAsからなるベース層を備えてなることを特徴とするバイポーラ半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205