ナノ粒子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西岡伸泰 , 杉岡佳子
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008525647
Publication number (International publication number)：2009504422
Application date： Aug. 14, 2006
Publication date： Feb. 05, 2009
Summary：

コア、第1シェル及び第2シェル半導体材料を具えるナノ粒子を作製するための方法。別々の第1及び第2前駆体種を含むコア前駆体組成物のコア材料への転化を生じさせ、それから前記第1及び第2シェルを堆積させる。当該転化は、ナノ粒子コアのシーディング及び成長が可能な状況下で分子クラスター化合物が存在する場合に生じる。コア、第1シェル及び第2シェル材料のうち少なくとも2つが周期表の12及び15、14及び16、又は11、13及び16族からのイオンを組み込むコア/マルチシェルナノ粒子。第2シェル材料が少なくとも2つの異なる12族イオン及び16族イオンを組み込むコア/マルチシェルナノ粒子。コア、第1及び第2半導体材料の少なくとも1つが11、13及び16の族イオンを組み込み、その他の半導体材料が11、13及び16族のイオンを組み込まないコア/マルチシェルナノ粒子。

Claim (excerpt)：

ナノ粒子を作製する方法であって、該ナノ粒子は、コア半導体材料からなるコアと、前記コア上に提供される第1半導体材料からなる第1層と、前記第1層上に提供される第2半導体材料からなる第2層とを有し、前記コア半導体材料は前記第1半導体材料と異なり、前記第1半導体材料は前記第2半導体材料と異なり、前記方法は、ナノ粒子コア前駆体組成物のナノ粒子コア材料への転化を生じさせることと、前記第1層を前記コア上に堆積させることと、前記第2層を前記第1層上に堆積させることとを具え、前記コア前駆体組成物は、成長するナノ粒子コアに組み込まれる第1イオンを含有する第1前駆体種と、成長するナノ粒子コアに組み込まれる第2イオンを含有する別の第2前駆体種とを含み、前記転化は、ナノ粒子コアのシーディング及び成長が可能な状況下で分子クラスター化合物が存在する場合に生じる方法。

IPC (4)：

B82B 3/00 , B82B 1/00 , C01G 9/08 , C01B 19/04

FI (4)：

B82B3/00 , B82B1/00 , C01G9/08 , C01B19/04 C

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

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