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J-GLOBAL ID：200903008573653170

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 中島 靜城
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995189619
Publication number (International publication number)：1997036229
Application date： Jul. 25, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 多層配線構造を有するLSIの接続孔数を減少する。【構成】 半導体基板主面上の半導体領域(アクティブ部)6A,6Bを第一層配線10A,10B,10C,10Dを介することなく、接続孔15A,15Bを通じて、第二層配線19A,19Bに直接接続する。また、接続孔15A,15Bにステップカバレッジに優れたTiN/Ti膜17をCVD法で形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板主面上に、下層絶縁層および上層絶縁層に挟まれて設けられた導電性の配線層を少なくとも二層以上有し、それが順に積層されてなる多層配線を有する半導体集積回路装置であって、前記半導体基板内に設けられた半導体素子領域が、第一層配線に接続されることなく、第m層配線(mは2以上の整数)に接続されることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 B