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J-GLOBAL ID：200903008576721605

セラミックチップキャリアの製造方法

Inventor： 中村 嘉文
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 武田 元敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992048538
Publication number (International publication number)：1993251584
Application date： Mar. 05, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 チップキャリヤの多数個取り用として作製したセラミック基板を個片に分割するとき、スルーホール部内に形成された導体が片方に引っ張られ剥がれたり、クラックが入るということを防ぐ。また基板焼成後にセラミック基板を分割すること容易にするため分割部にノッチをいれる場合、ノッチ溝に導体が流れ隣のスルーホールとショートを起こす現象が起こるのを防ぐ。【構成】 サイド電極31となるべきスルーホールに粘度が低く銅より体積の大きい酸化第二銅ペーストの状態で塗布するので、焼成後、還元されて体積の小さい銅となり薄い導体膜(スルーホール導体層35A)ができる。そのためスクライブライン41に沿って破断するとき分割がしやすくなる。また焼成前にスルーホール部に酸化第二銅ペーストを印刷するので導体がノッチ溝に流れることもない。

Claim (excerpt)：

少なくとも酸化第二銅を主成分とするペーストを印刷しグリーンシートを所望枚数積層し、その後この積層体にスルーホールを形成し、前記積層体の両面及び片面にある酸化第二銅を主成分とするペーストを吸引しながら、配線パターン及びスルーホールの内壁に導体を印刷する。この印刷済み積層体を脱バインディングし、還元熱処理を行い、窒素雰囲気中で焼成し作ったセラミック基板と、スルーホールを分割するようにブレイクすることを特徴とするセラミックチップキャリアの製造方法。

IPC (4)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/46

FI (2)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 C