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J-GLOBAL ID:200903008597508499

フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 阿仁屋 節雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001399790
Publication number (International publication number):2003195483
Application date: Dec. 28, 2001
Publication date: Jul. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 フォトマスクブランクを製造するに当たって、反射防止機能を有する層を含む遮光膜の膜応力を低減する。【解決手段】 フォトマスクブランク1は、透明基板2上に、反射防止機能を有する反射防止膜5を含む遮光膜を形成してなる。遮光膜は、反射防止膜5の他に、クロム窒化物からなる第1遮光膜3と、クロム炭化物からなる第2遮光膜4との積層構造を有してなる。この様な遮光膜を、全体としての膜厚が、60ナノメートル〜77ナノメートルの範囲となるよう成膜する。
Claim (excerpt):
透光性基板上に、反射防止機能を有する反射防止層を含む遮光膜が形成されてなるフォトマスクブランクにおいて、前記遮光膜の膜厚が、60ナノメートル〜77ナノメートルの範囲とされていることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 1/08 Z ,  G03F 1/08 K ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (3):
2H095BA07 ,  2H095BC05 ,  2H095BC14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭55-017152
  • 特開平1-214859
  • 特開昭55-017152
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