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J-GLOBAL ID：200903008607670710
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991055876
Publication number (International publication number)：1994021207
Application date： Feb. 27, 1991
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板1上に形成した溝2以外の部分にエッチバックストップ層3を形成し、埋め込み材料4を形成した後、埋め込み材料4とはエッチング特性の異なる材料5を形成し、ポリシッングにより上記エッチング特性の異なる材料5を埋め込み材料4の凹部41に残し、その後埋め込み材料4をエッチバックして埋め込むことによって、溝2以外の基板部分はエッチバックストップ層3により、また溝2内の埋め込み材料4はこれをエッチング特性の異なる材料5によりエッチバックから保護して、均一で良好な埋め込みを達成するようにしたものである。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に溝を形成し、該溝以外の部分にエッチバックストップ層を形成し、埋め込み材料を形成した後、埋め込み材料とはエッチング特性の異なる材料を形成し、ポリッシングにより上記エッチング特性の異なる材料を埋め込み材料の凹部内に残し、その後埋め込み材料をエッチバックして埋め込みを達成する半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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