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J-GLOBAL ID：200903008611267750

半導体装置

Inventor： 河野 竜治 ,  西村 朝雄 ,  矢口 昭弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992115776
Publication number (International publication number)：1993315526
Application date： May. 08, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】半導体素子1の回路形成面側を、電極パッド1pに干渉しない形状のタブ3に、接着剤2を用いて接着し、電極パッド1pとしかるべきリード4とをワイヤ5で電気的に接続し、半導体素子1の非回路形成面側と、タブ3の半導体素子1の存在しない方の面がともに外部に露出するように、封止用樹脂でそれらを封止,成形する。【効果】これまでのTSOP以上に薄型で、環境の温度変化が生じてもそりが発生せず、TABを用いる場合に比べて安価な半導体装置が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体素子と,タブと,接着剤と,リード群と,ワイヤと,それらを封止するための封止用樹脂とを含む半導体装置において、電気的に有効なリード群はいずれも、前記半導体装置の平面からの透視図において前記半導体素子と重ならない位置に配置し、前記半導体素子の回路形成面側を、接着剤を用いてタブに接着し、前記半導体素子の回路形成面内の電極パッドとしかるべきリードとを前記ワイヤで電気的に接続し、前記半導体素子の非回路形成面内と、前記タブの前記半導体素子の存在しない方の面内に、ともに前記封止用樹脂と接しない部分が存在するようそれらを封止,成形したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/28