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J-GLOBAL ID：200903008622232037

窒化シリコン膜の成膜方法

Inventor： 東 俊明
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991355636
Publication number (International publication number)：1993171443
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】比較的高い温度でも薄膜素子のしきい値電圧のシフト量を小さくしてその信頼性を向上させることができる窒化シリコン膜を成膜する。【構成】プラズマCVD装置により、Si H4 に対するNH3 の流量比を2以上10以下、Si H4 に対するN2 の流量比を13以上17以下に制御して窒化シリコン膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD装置による窒化シリコン膜の成膜において、プロセスガスとしてモノシランとアンモニアと窒素を用い、モノシランに対するアンモニアの流量比を2以上10以下、モノシランに対する窒素の流量比を13以上17以下に制御して成膜することを特徴とする窒化シリコン膜の成膜方法。

IPC (2)：

C23C 16/32 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-115561
  
• 特開昭63-132433