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J-GLOBAL ID：200903008630339800
半導体発光デバイスチップ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998055816
Publication number (International publication number)：1999238913
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：
【要約】【目的】 紫外,青色発光ダイオード、レーザーダイオード等の発光デバイスに利用される窒化物半導体単結晶層の構造で、電極形成のためのエッチング工程の省略、この部分のサファイヤ基板の無駄をなくし、素子の小型化及び製造工程の簡略化を図る。【構成】 サファイヤ基板11上に気相成長により窒化ガリウム層を積層した窒化物半導体単結晶において、サファイヤ基板11とGaNバッファー層12とを研削除去し、露出したn型GaN面13にn型電極8を形成し、p型電極7,n型電極8を対向した両端面に形成する。
Claim (excerpt)：
サファイヤ基板上に気相成長により窒化ガリウム層を積層した窒化物半導体単結晶において、前記サファイヤ基板とGaNバッファー層とを研削除去し、露出したn型GaN面にn型電極を形成し、p型電極,n型電極を対向した両端面に形成することを特徴とした半導体発光デバイスチップ。
IPC (2)：
FI (2)：
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