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J-GLOBAL ID：200903008634669473

半導体装置の製造方法

Inventor： 岡田 多佳子 ,  神林 茂
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992145747
Publication number (International publication number)：1993343317
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、表面の凹凸を緩和し、欠陥のない結晶性の良好な半導体装置表面を形成することを目的とする。【構成】 本発明では、垂直方向の段差が50nm以下の微小な凹凸表面を有する半導体基板31表面の自然酸化膜32を除去し、清浄な状態にし、この基板表面に膜厚80nm以下のアモルファス薄膜33を堆積し、このアモルファス薄膜表面を非酸化性雰囲気中で自由表面状態に維持しつつ加熱し、固相成長により基板を結晶種として単結晶化し、単結晶シリコン薄膜34を形成するようにしている。

Claim (excerpt)：

段差が50nm以下の微小な凹凸を表面に有する半導体基板の表面の自然酸化膜を除去し、清浄な状態にする清浄化工程と前記基板表面に膜厚80nm以下の非晶質半導体薄膜を堆積する非晶質薄膜堆積工程と前記非晶質半導体薄膜表面を非酸化性雰囲気中で自由表面状態に維持しつつ加熱し、固相成長により前記基板を結晶種として単結晶化し、単結晶半導体薄膜を形成する熱処理工程とを含み、前記半導体基板表面を平坦化するようにしたことを特徴とする半導体装置の形成方法。