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J-GLOBAL ID：200903008636635401

ガスセンサの製造方法

Inventor： 窪田 一成
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991297511
Publication number (International publication number)：1993133923
Application date： Nov. 14, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】酸化スズ酸化物半導体にパラジウムを担持し一酸化炭素ガスに対する感度に優れるガスセンサを得る。【構成】酸化スズを塩化アンモニム水溶液中に浸漬し次いで塩化パラジウム水溶液中に浸漬し焼成する。

Claim (excerpt)：

第一の工程と第二の工程を有し、第一の工程は酸化スズを塩化アンモニウムの溶液に浸漬してパラジウム置換の前駆体を形成する工程であり、第二の工程は前記前駆体を塩化パラジウム溶液に浸漬し次いで焼成する工程であることを特徴とするガスセンサの製造方法。