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J-GLOBAL ID:200903008655043035

露光用マスク及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993103416
Publication number (International publication number):1994075359
Application date: Apr. 30, 1993
Publication date: Mar. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 半透明膜の膜質の経時変化を防ぐことにより、ハーフトーン型位相シフトマスクの理想的な位相差及び振幅透過率を実現し得る露光用マスクの製造方法を提供すること。【構成】 透過部と半透明膜パターンの位相差が180°となるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、透明基板101上に半透明膜としてのアモルファスSi膜102を形成したのち、酸素原子を含む雰囲気での酸化によりSi膜102上に酸化膜103を形成し、次いで酸化膜103上にレジストパターン104aを形成し、次いでレジストパターン104aをマスクに酸化膜103及びSi膜102をエッチングし、酸化膜103及びSi膜102の積層構造からなる位相シフト層106を形成することを特徴とする。
Claim (excerpt):
透明基板からなる透過部と、この透明基板上の所定位置に形成された半透明膜パターンと、少なくともこの半透明膜パターンの上部に形成された所望の厚さの酸化膜とを備え、前記酸化膜の厚さは、前記半透明膜上で前記酸化膜形成後の反応により膜厚の増加が起こらなくなる厚さであり、前記透過部と前記半透明膜パターン及び酸化膜とを透過する光の位相差が180±10度となることを特徴とする露光用マスク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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