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J-GLOBAL ID：200903008669775772

磁気メモリ

Inventor： 渡辺 克朗 ,  高橋 宏昌
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001173394
Publication number (International publication number)：2002368199
Application date： Jun. 08, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】低消費電力の磁気メモリを提供する。【解決手段】情報を保持する自由層38と、情報を書き込むために電流を流すワード線231またはビット線251の側部に、ワード線またはビット線に流す電流が発生する磁界を自由層に導くための高抵抗軟磁性層41を設ける。

Claim (excerpt)：

第1および第2の複数の導線が複数の交差領域を形成し、上記複数の交差領域に磁気的に情報を記憶するセルを有し、上記磁気的に情報を記憶するセルが磁気抵抗効果膜を含み、上記第1あるいは第2の導線の少なくとも何れか一方に電流を流すことにより発生する磁界によって、上記磁気抵抗効果膜を構成する1つの層である情報を保持する磁性層の磁化の方向を制御することにより情報の書き込み、読み出しができる磁気メモリにおいて、上記情報を保持する磁性層と情報を書き込むために電流を流す導線の側部に、上記情報を書き込むための電流が発生する磁界を、上記情報を保持する磁性層に導くための高抵抗軟磁性層が設けられていることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (4)：

H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (13)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60