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J-GLOBAL ID：200903008669825680

コバルトシリサイド層のエッチング方法

Inventor： シリノ ラピサルダ
Applicant, Patent owner： コンソルツィオ ペル ラ リセルカ スーラ マイクロエレットロニカ ネル メッツォジオルノ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995246104
Publication number (International publication number)：1996139080
Application date： Sep. 25, 1995
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【課題】 小さな形状寸法を規定しうるようにコバルトシリサイド層をエッチングする方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板(12)の上に形成したポリシリコン層(14)の上に重畳され、且つマスク材料(16)によって選択的に覆われたコバルトシリサイド層(15)をエッチングするための方法であって:コバルトシリサイド層(15)を気体塩素流に規定された圧力にてさらし;規定電力を用いることにより気体塩素をイオン化して、コバルトシリサイド層(15)を選択的に除去するためのプラズマを形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板(12)の上に形成したポリシリコン層(14)の上に重畳され、且つマスク材料(16)によって選択的に覆われたコバルトシリサイド層(15)をエッチングする方法において、前記コバルトシリサイド層(15)を気体塩素流に規定された圧力にてさらし、且つ規定の電力を用いることにより前記気体塩素をイオン化して、前記コバルトシリサイド層(15)を選択的に除去するためのプラズマを形成することを特徴とするコバルトシリサイド層のエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-096223
  
• 特開昭64-077128