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J-GLOBAL ID：200903008670344254

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 岩松 俊明 ,  井上 靖朗 ,  山口 泰男 ,  西村 正
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994008840
Publication number (International publication number)：1995221297
Application date： Jan. 28, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ソース/ドレイン領域の寄生抵抗を低減する。特に、ソース領域の寄生抵抗をドレイン領域の寄生抵抗よりも低減する。【構成】 半導体層のソース領域にのみ不活性イオンを注入し、半導体層の表面近傍に結晶性ダメージ層を形成することにより、シリサイド化反応を滑らかに促進させ、ソース領域において膜厚の厚いチタンシリサイド膜15を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体チップ上に形成された第1のシリサイド膜と、前記半導体チップ上に形成され、前記第1のシリサイド膜と同一材料からなる前記第1のシリサイド膜の膜厚と異なる膜厚を持つ第2のシリサイド膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/76 S ,  H01L 29/78 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平4-245642
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-189755   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭64-000757
  
• 特開昭59-110115
  

Cited by examiner (7)

• 特開平4-245642
  
• 特開平4-245642
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-189755   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭64-000757
  
• 特開昭64-000757
  
• 特開昭59-110115
  
• 特開昭59-110115