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J-GLOBAL ID：200903008676544255

ランタンクロマイト緻密膜の作製方法

Inventor： 樋渡 研一 ,  上野 晃 ,  相沢 正信
Applicant, Patent owner： 東陶機器株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999122032
Publication number (International publication number)：2000044369
Application date： Apr. 28, 1999
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】ある程度緻密なセラミック基体上に湿式法によって、密着性の良好なランタンクロマイト緻密膜の形成方法を提供する。【解決手段】 ある程度緻密なセラミック基体上に、湿式法でランタンクロマイトの緻密膜を作製する方法において、基体の表面を粗面化処理し、この上にランタンクロマイト膜の成膜を行う。

Claim (excerpt)：

ある程度緻密なセラミック基体上に、湿式法でランタンクロマイトの緻密膜を作製する方法において、基体の表面を粗面化処理し、この上にランタンクロマイト膜の成膜を行うことを特徴とするランタンクロマイト緻密膜の作製方法。

IPC (3)：

C04B 41/87 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/12

FI (3)：

C04B 41/87 A ,  H01M 8/02 Y ,  H01M 8/12