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J-GLOBAL ID：200903008684330159
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992320039
Publication number (International publication number)：1994169019
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高温Al合金スパッタ法による埋込み成膜を、表面荒れを生じることなく形成する方法を提供する。【構成】 Si基板11上にBPSG膜12を形成し、コンタクト孔12aを開孔した後、基板面にN2プラズマ処理を施す。その後、バリアメタル層13、高温スパッタ法によるAl合金層を形成する。上記N2プラズマ処理を施したことにより、BPSG膜12の表面改質が行われ、Al合金層の表面荒れが防止できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板を高温に加熱した状態で、該半導体基板上の絶縁層上に、スパッタ法にてAl合金材料膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記Al合金材料膜を形成する前に、基板面にプラズマ処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
Cited by examiner (7)
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