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J-GLOBAL ID：200903008712946349

ケイ素系ハイブリツド材料

Inventor： 岩原 孝尚 ,  安藤 紀芳 ,  米沢 和弥
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991278292
Publication number (International publication number)：1993086192
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、耐熱性、耐燃焼性に優れ、軽量高靱性で高い機械的強度と良好な成形加工性を有するケイ素系ハイブリッド材料及びその製造方法を提供するものである。【構成】 本発明は、(A)アルコキシシラン類、(B)少なくとも2個のSiH基を有するケイ素化合物、(C)少なくとも2個のアルケニル基を有する有機化合物からなる系において、?@アルコキシシリル基の加水分解・縮合反応、?ASiH基とアルケニル基とのヒドロシリル化反応、?Bアルコキシシリル基及び/またはSiH基から誘導されたシラノール基とSiH基との縮合反応を同時進行的に行なわせて得られることを特徴とするケイ素系ハイブリッド材料である。

Claim (excerpt)：

(A)アルコキシシラン類、(B)少なくとも2個のSiH基を有するケイ素化合物、(C)少なくとも2個のアルケニル基を有する有機化合物、からなる系において、?@アルコキシシリル基の加水分解・縮合反応、?ASiH基とアルケニル基とのヒドロシリル化反応、?Bアルコキシシリル基及び/またはSiH基から誘導されたシラノール基とSiH基との縮合反応を同時進行的に行なわせて得られることを特徴とするケイ素系ハイブリッド材料。

IPC (3)：

C08G 77/12 NUG ,  C08G 77/18 ,  C08G 77/20