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J-GLOBAL ID：200903008715848992

イオン注入装置

Inventor： 青木 正彦
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997110278
Publication number (International publication number)：1998283977
Application date： Apr. 10, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 大口径イオンビームを大口径ウェファに照射するイオン注入装置において、従来は質量分離せずにウェファに注入していた。それでは不純物も注入されるから、質量分離をする事が望ましい。大口径イオンビームを質量分離してイオン注入できる装置を提供する事が目的である。【解決手段】 直交2方向に広がりをもつ大面積のイオンビームを生成するイオン源1と、湾曲傾斜面を持つ複数の扇形対向磁極M1 、M2 、...、Ms を円弧状に配列した質量分析マグネット2と、試料3を支持する支持機構8よりなり、イオン源1から出た大面積イオンビームを質量分析マグネット2の入口4に入射させ質量分離し出口5から出た直交2方向に試料3以上の広がりをもつ大面積イオンビームを、走査しないで、試料3に照射するようにする。

Claim (excerpt)：

直交2方向に広がりをもつ大面積のイオンビ-ムを生成するイオン源1と、湾曲傾斜面を持つ複数の扇形対向磁極M1 、M2 、...、Ms を円弧状に配列した質量分析マグネット2と、試料3を支持する試料支持機構8よりなり、イオン源1から出た大面積イオンビ-ムを質量分析マグネット2の入口4に入射させ質量分離し出口5から出た直交2方向に試料3以上の広がりをもつ大面積イオンビ-ムを、走査しないで、試料3に照射するようにした事を特徴とするイオン注入装置。

IPC (3)：

H01J 37/317 ,  H01J 37/05 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01J 37/317 Z ,  H01J 37/05 ,  H01L 21/265 603 B