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J-GLOBAL ID：200903008721641127

薄膜トランジスタ

Inventor： 田邉 浩
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992018008
Publication number (International publication number)：1993218432
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタにおいても精密な閾値制御を行い、回路動作上必要なトランジスタ特性を得る。【構成】活性層を挾んでゲート電極に対抗する位置に新たな電極を設け、この電極に電圧を印可することで必要とする閾値電圧にシフトさせる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された、ソース・ドレイン電極層、前記ソース・ドレイン電極層を覆い、チャネルを形成する活性層、前記活性層を覆った絶縁層、前記絶縁層上に形成されたゲート電極層を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記基板上部で、かつ活性層下部に絶縁体を介して導体を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。