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J-GLOBAL ID：200903008723579950

有機金属分子線エピタキシャル成長方法

Inventor： 白石 靖
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992261804
Publication number (International publication number)：1994112124
Application date： Sep. 30, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高純度GaAsやn型GaAsなどを、低いV族原料の圧力で、かつ低い基板温度で選択成長する。【構成】 III族原子にハロゲン原子が結合した構造を持つジエチルガリウムクロライド(DEGaCl)などのIII族原料を用い、成長中に、原子状水素、あるいは光、あるいは電子線を基板に照射する。DEGaClは、基板上で分解してGaClを生成し、成長層中への炭素の混入が少なく、高純度GaAsが得られる。さらに、原子状の水素,光,電子線によりGaClがAsと反応し易くなり、成長速度が増大する。またSiO2マスク2上では、低い基板温度で、GaClが脱離するため、良好な選択成長性が得られる。従って、n型ドーパントのドーピングにより良好な高濃度n型GaAs選択成長層3が得られる。

Claim (excerpt)：

III族原子に少なくとも1個のハロゲン原子が結合した構造を持つIII族原料を用いて化合物半導体を成長させるIII-V族化合物半導体の有機金属分子線エピタキシャル成長方法であって、化合物半導体の成長中に、水素を持つ化合物の分解ガスを基板に照射することを特徴とする有機金属分子線エピタキシャル成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/24 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02